SM360R65CT1TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM360R65CT1TL
   Código: 360R65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM360R65CT1TL

SM360R65CT1TL Datasheet (PDF)

5.1. Size:633K cn sps
sm360r65c.pdf

SM360R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFETDescription ID 13A SM360R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.36(VGS=10V, ID=6.5A) technology. These user friendly dev

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