SM360R65CT1TL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM360R65CT1TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SM360R65CT1TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM360R65CT1TL даташит

 5.1. Size:633K  cn sps
 sm360r65c.pdf pdf_icon

SM360R65CT1TL

SM360R65C 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFET Description ID 13A SM360R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.36 (VGS=10V, ID=6.5A) technology. These user friendly dev

Другие IGBT... SM3400, SM3401, SM3402SRL, SM3404SRL, SM3407, SM3415, SM3416, SM360R65CT2TL, AON6414A, SM4012T9RL, SM4132T9RL, SM4146T9RL, SM4184T9RL, SM4186T9RL, SM418T9RL, SM420R50CT9RL, SM420R65CT2TL