SM360R65CT1TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM360R65CT1TL
Маркировка: 360R65C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 87 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 680 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SM360R65CT1TL
SM360R65CT1TL Datasheet (PDF)
5.1. Size:633K cn sps
sm360r65c.pdf
sm360r65c.pdf
SM360R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFETDescription ID 13A SM360R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.36(VGS=10V, ID=6.5A) technology. These user friendly dev
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
