SM4132T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4132T9RL
Código: 85N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 33 nC
Tiempo de subida (tr): 13.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 700 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SM4132T9RL Datasheet (PDF)
sm4132t9rl.pdf
SM4132T9RL30V /85A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /85A Single N Power MOSFET 85N03HGeneral Description 30 VV DS30V /85A Single N Power MOSFET 2.8 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.2 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 85 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS
gsm4134w.pdf
GSM4134W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134W, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P pac
gsm4134.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P package design
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