SM4132T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4132T9RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4132T9RL

SM4132T9RL Datasheet (PDF)

..1. Size:794K cn sps
sm4132t9rl.pdf

SM4132T9RL30V /85A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /85A Single N Power MOSFET 85N03HGeneral Description 30 VV DS30V /85A Single N Power MOSFET 2.8 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.2 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 85 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

9.1. Size:845K globaltech semi
gsm4134w.pdf

GSM4134W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134W, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P pac

9.2. Size:843K globaltech semi
gsm4134.pdf

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P package design

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History: MTW32N20E

Liste

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