Справочник MOSFET. SM4132T9RL

 

SM4132T9RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM4132T9RL
   Маркировка: 85N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SM4132T9RL

 

 

SM4132T9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  cn sps
 sm4132t9rl.pdf

SM4132T9RL SM4132T9RL

SM4132T9RL30V /85A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /85A Single N Power MOSFET 85N03HGeneral Description 30 VV DS30V /85A Single N Power MOSFET 2.8 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.2 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 85 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

 9.1. Size:845K  globaltech semi
 gsm4134w.pdf

SM4132T9RL SM4132T9RL

GSM4134W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134W, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P pac

 9.2. Size:843K  globaltech semi
 gsm4134.pdf

SM4132T9RL SM4132T9RL

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P package design

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top