SM4146T9RL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4146T9RL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de SM4146T9RL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SM4146T9RL datasheet

 ..1. Size:129K  cn sps
 sm4146t9rl.pdf pdf_icon

SM4146T9RL

SM4146T9RL 30V /55A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03H General Description 30 V V DS 30V /55A Single N Power MOSFET 3.9 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 6.7 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested S

 9.1. Size:61K  taiwansemi
 tsm414k34cs.pdf pdf_icon

SM4146T9RL

TSM414K34 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode SOP-8 Pin Definition MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Anode 8. Cathode VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Anode 7. Cathode 3. Source 6. Drain 55 @ VGS = 10V 4 30 4. Gate 5. Drain 65 @ VGS = 4.5V 2 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VRRM (V) VF (V) IF (A) 30 0.51 3 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology

Otros transistores... SM3404SRL, SM3407, SM3415, SM3416, SM360R65CT2TL, SM360R65CT1TL, SM4012T9RL, SM4132T9RL, P55NF06, SM4184T9RL, SM4186T9RL, SM418T9RL, SM420R50CT9RL, SM420R65CT2TL, SM420R65CT1TL, SM4286T9RL, SM4306PRL