SM4146T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4146T9RL
   Código: 55N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4146T9RL

SM4146T9RL Datasheet (PDF)

..1. Size:129K cn sps
sm4146t9rl.pdf

SM4146T9RL30V /55A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03HGeneral Description 30 VV DS30V /55A Single N Power MOSFET 3.9 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 6.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

9.1. Size:61K taiwansemi
tsm414k34cs.pdf

TSM414K34 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode SOP-8 Pin Definition: MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Anode 8. Cathode VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Anode 7. Cathode 3. Source 6. Drain 55 @ VGS = 10V 4 30 4. Gate 5. Drain 65 @ VGS = 4.5V 2 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VRRM (V) VF (V) IF (A) 30 0.51 3 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology

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Liste

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