Справочник MOSFET. SM4146T9RL

 

SM4146T9RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4146T9RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SM4146T9RL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4146T9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  cn sps
 sm4146t9rl.pdf pdf_icon

SM4146T9RL

SM4146T9RL30V /55A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03HGeneral Description 30 VV DS30V /55A Single N Power MOSFET 3.9 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 6.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

 9.1. Size:61K  taiwansemi
 tsm414k34cs.pdf pdf_icon

SM4146T9RL

TSM414K34 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode SOP-8 Pin Definition: MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Anode 8. Cathode VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Anode 7. Cathode 3. Source 6. Drain 55 @ VGS = 10V 4 30 4. Gate 5. Drain 65 @ VGS = 4.5V 2 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VRRM (V) VF (V) IF (A) 30 0.51 3 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology

Другие MOSFET... SM3404SRL , SM3407 , SM3415 , SM3416 , SM360R65CT2TL , SM360R65CT1TL , SM4012T9RL , SM4132T9RL , IRFB4115 , SM4184T9RL , SM4186T9RL , SM418T9RL , SM420R50CT9RL , SM420R65CT2TL , SM420R65CT1TL , SM4286T9RL , SM4306PRL .

History: BSZ160N10NS3 | IRFI9530GPBF | SUP90N08-7M7P | AP04N60J | CJP04N60 | FIR50N15PG | KP751A1

 

 
Back to Top

 


 
.