Справочник MOSFET. SM4146T9RL

 

SM4146T9RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM4146T9RL
   Маркировка: 55N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 375 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SM4146T9RL

 

 

SM4146T9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  cn sps
sm4146t9rl.pdf

SM4146T9RL SM4146T9RL

SM4146T9RL30V /55A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03HGeneral Description 30 VV DS30V /55A Single N Power MOSFET 3.9 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 6.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

 9.1. Size:61K  taiwansemi
tsm414k34cs.pdf

SM4146T9RL SM4146T9RL

TSM414K34 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode SOP-8 Pin Definition: MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Anode 8. Cathode VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Anode 7. Cathode 3. Source 6. Drain 55 @ VGS = 10V 4 30 4. Gate 5. Drain 65 @ VGS = 4.5V 2 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VRRM (V) VF (V) IF (A) 30 0.51 3 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top