SM4286T9RL Todos los transistores

 

SM4286T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM4286T9RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SM4286T9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  cn sps
 sm4286t9rl.pdf pdf_icon

SM4286T9RL

SM4286T9RL100V /14A Single N Power MOSFET H N10H N 100V /14A Single N Power MOSFET 14N10HGeneral Description 100 VV DS100V /14A Single N Power MOSFET 90.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 105.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 14 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Te

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History: AP60SL150AI | 2SK3153 | AOW20C60 | QM2409K | DACMH40N1200 | SQ1563AEH | AP09T10GH

 

 
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