SM4286T9RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM4286T9RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SM4286T9RL Datasheet (PDF)
sm4286t9rl.pdf

SM4286T9RL100V /14A Single N Power MOSFET H N10H N 100V /14A Single N Power MOSFET 14N10HGeneral Description 100 VV DS100V /14A Single N Power MOSFET 90.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 105.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 14 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Te
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent