SM4286T9RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM4286T9RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SM4286T9RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4286T9RL даташит

 ..1. Size:827K  cn sps
 sm4286t9rl.pdf pdf_icon

SM4286T9RL

SM4286T9RL 100V /14A Single N Power MOSFET H N10H N 100V /14A Single N Power MOSFET 14N10H General Description 100 V V DS 100V /14A Single N Power MOSFET 90.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 105.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 14 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Te

Другие IGBT... SM4132T9RL, SM4146T9RL, SM4184T9RL, SM4186T9RL, SM418T9RL, SM420R50CT9RL, SM420R65CT2TL, SM420R65CT1TL, 2SK3878, SM4306PRL, SM4404BPRL, SM4405PRL, SM4410, SM4411, SM4421, SM4435, SM4441