SM4828APRL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4828APRL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SM4828APRL datasheet
sm4828aprl.pdf
SM4828APRL 60V /15A Dual 2N Power MOSFET C B06C B 60V /15A Dual 2N Power MOSFET 15B06C General Description 60 V V DS 60V /15A Dual 2N Power MOSFET 14.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 25.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 15 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested SM
gsm4822ws.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=44m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage powe
gsm4822s.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power
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