SM4828APRL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4828APRL
   Código: 4828A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SM4828APRL Datasheet (PDF)

..1. Size:805K cn sps
sm4828aprl.pdf

SM4828APRL60V /15A Dual 2N Power MOSFET C B06C B 60V /15A Dual 2N Power MOSFET 15B06CGeneral Description 60 VV DS60V /15A Dual 2N Power MOSFET 14.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 25.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 15 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedSM

9.1. Size:747K globaltech semi
gsm4822ws.pdf

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=44m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage powe

9.2. Size:813K globaltech semi
gsm4822s.pdf

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

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