Справочник MOSFET. SM4828APRL

 

SM4828APRL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM4828APRL
   Маркировка: 4828A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SM4828APRL

 

 

SM4828APRL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  cn sps
 sm4828aprl.pdf

SM4828APRL SM4828APRL

SM4828APRL60V /15A Dual 2N Power MOSFET C B06C B 60V /15A Dual 2N Power MOSFET 15B06CGeneral Description 60 VV DS60V /15A Dual 2N Power MOSFET 14.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 25.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 15 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedSM

 9.1. Size:747K  globaltech semi
 gsm4822ws.pdf

SM4828APRL SM4828APRL

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=44m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage powe

 9.2. Size:813K  globaltech semi
 gsm4822s.pdf

SM4828APRL SM4828APRL

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top