SM6204D1RL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6204D1RL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SM6204D1RL datasheet

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SM6204D1RL

SM6204D1RL 30V /24A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /24A Single N Power MOSFET 24N03D General Description 30 V V DS 30V /24A Single N Power MOSFET 12.6 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 19.8 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 24 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

 9.1. Size:952K  globaltech semi
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SM6204D1RL

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Otros transistores... SM4840PRL, SM4842PRL, SM4862EPRL, SM4953, SM514T9RL, SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, RFP50N06, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL