SM6204D1RL Todos los transistores

 

SM6204D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6204D1RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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SM6204D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  cn sps
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SM6204D1RL

SM6204D1RL30V /24A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /24A Single N Power MOSFET 24N03DGeneral Description 30 VV DS30V /24A Single N Power MOSFET 12.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 19.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 24 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:952K  globaltech semi
 gsm6202s.pdf pdf_icon

SM6204D1RL

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

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History: 2SJ402 | H07N65F | MEE4294-G | NCEP40T13AGU | CJ3404 | CSD17577Q3A | UTD408

 

 
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