Справочник MOSFET. SM6204D1RL

 

SM6204D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6204D1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SM6204D1RL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6204D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  cn sps
 sm6204d1rl.pdf pdf_icon

SM6204D1RL

SM6204D1RL30V /24A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /24A Single N Power MOSFET 24N03DGeneral Description 30 VV DS30V /24A Single N Power MOSFET 12.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 19.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 24 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:952K  globaltech semi
 gsm6202s.pdf pdf_icon

SM6204D1RL

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие MOSFET... SM4840PRL , SM4842PRL , SM4862EPRL , SM4953 , SM514T9RL , SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SKD502T , SM6358D1RL , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , SM6426D1RL , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL .

History: AM3425P | BRCS050N085HRA | DMN67D8LW | PMPB55XNEA | BRCS120N06SYM | CJL3415 | P1850EF

 

 
Back to Top

 


 
.