SM6204D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6204D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6204D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6204D1RL даташит

 ..1. Size:782K  cn sps
 sm6204d1rl.pdf pdf_icon

SM6204D1RL

SM6204D1RL 30V /24A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /24A Single N Power MOSFET 24N03D General Description 30 V V DS 30V /24A Single N Power MOSFET 12.6 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 19.8 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 24 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

 9.1. Size:952K  globaltech semi
 gsm6202s.pdf pdf_icon

SM6204D1RL

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие IGBT... SM4840PRL, SM4842PRL, SM4862EPRL, SM4953, SM514T9RL, SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, RFP50N06, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL