SM6426D1RL Todos los transistores

 

SM6426D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6426D1RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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SM6426D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  cn sps
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SM6426D1RL

SM6426D1RL30V /65A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /65A Single N Power MOSFET 65N03DGeneral Description 30 VV DS30V /65A Single N Power MOSFET 5.3 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 8.3 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 65 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

 9.1. Size:1035K  globaltech semi
 gsm6424.pdf pdf_icon

SM6426D1RL

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-

Otros transistores... SM514T9RL , SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , SM6358D1RL , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , 2N60 , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL , SM6796D1RL , SM6802S1RL , SM9435 .

History: HY4008B | FQPF2N90 | ELM14826AA | NCE65NF099D | SSM6L12TU | CHM4311JGP | IRF7493PBF-1

 

 
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