SM6426D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6426D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6426D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6426D1RL даташит

 ..1. Size:849K  cn sps
 sm6426d1rl.pdf pdf_icon

SM6426D1RL

SM6426D1RL 30V /65A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /65A Single N Power MOSFET 65N03D General Description 30 V V DS 30V /65A Single N Power MOSFET 5.3 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 8.3 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 65 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested S

 9.1. Size:1035K  globaltech semi
 gsm6424.pdf pdf_icon

SM6426D1RL

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m @VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-

Другие IGBT... SM514T9RL, SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, 20N50, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL, SM66406D1RL, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435