Справочник MOSFET. SM6426D1RL

 

SM6426D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6426D1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SM6426D1RL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6426D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  cn sps
 sm6426d1rl.pdf pdf_icon

SM6426D1RL

SM6426D1RL30V /65A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /65A Single N Power MOSFET 65N03DGeneral Description 30 VV DS30V /65A Single N Power MOSFET 5.3 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 8.3 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 65 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

 9.1. Size:1035K  globaltech semi
 gsm6424.pdf pdf_icon

SM6426D1RL

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-

Другие MOSFET... SM514T9RL , SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , SM6358D1RL , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , 2N60 , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL , SM6796D1RL , SM6802S1RL , SM9435 .

History: SUP18N15-95

 

 
Back to Top

 


 
.