SM6512D1RL Todos los transistores

 

SM6512D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6512D1RL
   Código: 6512
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 25 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1327 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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SM6512D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  cn sps
sm6512d1rl.pdf

SM6512D1RL SM6512D1RL

SM6512D1RL30V /150A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /150A Single N Power MOSFET 150N03DGeneral Description 30 VV DS30V /150A Single N Power MOSFET 1.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 2.6 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 150 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test

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