SM6512D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM6512D1RL
   Código: 6512
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1327 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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SM6512D1RL Datasheet (PDF)

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sm6512d1rl.pdf

SM6512D1RL30V /150A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /150A Single N Power MOSFET 150N03DGeneral Description 30 VV DS30V /150A Single N Power MOSFET 1.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 2.6 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 150 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test

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Liste

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