SM6512D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM6512D1RL
Código: 6512
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 8.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1327 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6512D1RL
SM6512D1RL Datasheet (PDF)
sm6512d1rl.pdf
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SM6512D1RL30V /150A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /150A Single N Power MOSFET 150N03DGeneral Description 30 VV DS30V /150A Single N Power MOSFET 1.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 2.6 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 150 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
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Liste
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