SM6512D1RL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM6512D1RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1327 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SM6512D1RL
SM6512D1RL Datasheet (PDF)
sm6512d1rl.pdf

SM6512D1RL30V /150A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /150A Single N Power MOSFET 150N03DGeneral Description 30 VV DS30V /150A Single N Power MOSFET 1.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 2.6 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 150 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test
Другие MOSFET... SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , SM6358D1RL , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , SM6426D1RL , SM6442D1RL , IRFB31N20D , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL , SM6796D1RL , SM6802S1RL , SM9435 , SM95N03A , SM9926 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet