SM6512D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6512D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1327 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6512D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6512D1RL даташит

 ..1. Size:778K  cn sps
 sm6512d1rl.pdf pdf_icon

SM6512D1RL

SM6512D1RL 30V /150A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /150A Single N Power MOSFET 150N03D General Description 30 V V DS 30V /150A Single N Power MOSFET 1.7 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 2.6 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 150 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Test

Другие IGBT... SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, IRF2807, SM6536D1RL, SM6590D1RL, SM66406D1RL, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A, SM9926