SM6536D1RL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6536D1RL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SM6536D1RL datasheet

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SM6536D1RL

SM6536D1RL 30V /55A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03D General Description 30 V V DS 30V /55A Single N Power MOSFET 7.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

 9.1. Size:898K  globaltech semi
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SM6536D1RL

GSM6530S GSM6530S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6530S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=4.7m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=6.2m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Otros transistores... SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, STF13NM60N, SM6590D1RL, SM66406D1RL, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A, SM9926, SMIRF10N65T1TL