SM6536D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM6536D1RL
Código: 6536
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 9 nC
Tiempo de subida (tr): 3.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
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SM6536D1RL Datasheet (PDF)
sm6536d1rl.pdf
SM6536D1RL30V /55A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03DGeneral Description 30 VV DS30V /55A Single N Power MOSFET 7.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
gsm6530s.pdf
GSM6530S GSM6530S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6530S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=4.7m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited
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