Справочник MOSFET. SM6536D1RL

 

SM6536D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6536D1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SM6536D1RL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6536D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  cn sps
 sm6536d1rl.pdf pdf_icon

SM6536D1RL

SM6536D1RL30V /55A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03DGeneral Description 30 VV DS30V /55A Single N Power MOSFET 7.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:898K  globaltech semi
 gsm6530s.pdf pdf_icon

SM6536D1RL

GSM6530S GSM6530S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6530S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=4.7m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие MOSFET... SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , SM6358D1RL , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , SM6426D1RL , SM6442D1RL , SM6512D1RL , IRF2807 , SM6590D1RL , SM66406D1RL , SM6796D1RL , SM6802S1RL , SM9435 , SM95N03A , SM9926 , SMIRF10N65T1TL .

History: AP4501GSD | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | DMG7N65SCT | AOL1404G | AOB9N70L | SPC4516B

 

 
Back to Top

 


 
.