Справочник MOSFET. SM6536D1RL

 

SM6536D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6536D1RL
   Маркировка: 6536
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6536D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  cn sps
 sm6536d1rl.pdf pdf_icon

SM6536D1RL

SM6536D1RL30V /55A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03DGeneral Description 30 VV DS30V /55A Single N Power MOSFET 7.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:898K  globaltech semi
 gsm6530s.pdf pdf_icon

SM6536D1RL

GSM6530S GSM6530S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6530S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=4.7m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.