SM6536D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6536D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6536D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6536D1RL даташит

 ..1. Size:785K  cn sps
 sm6536d1rl.pdf pdf_icon

SM6536D1RL

SM6536D1RL 30V /55A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03D General Description 30 V V DS 30V /55A Single N Power MOSFET 7.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

 9.1. Size:898K  globaltech semi
 gsm6530s.pdf pdf_icon

SM6536D1RL

GSM6530S GSM6530S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6530S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=4.7m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=6.2m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие IGBT... SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, STF13NM60N, SM6590D1RL, SM66406D1RL, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A, SM9926, SMIRF10N65T1TL