SM6536D1RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM6536D1RL
Маркировка: 6536
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 3.6 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SM6536D1RL
SM6536D1RL Datasheet (PDF)
sm6536d1rl.pdf
SM6536D1RL30V /55A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /55A Single N Power MOSFET 55N03DGeneral Description 30 VV DS30V /55A Single N Power MOSFET 7.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 55 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
gsm6530s.pdf
GSM6530S GSM6530S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6530S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=4.7m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
