SM6590D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM6590D1RL
   Código: 6590
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1438 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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SM6590D1RL Datasheet (PDF)

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sm6590d1rl.pdf

SM6590D1RL40V /100A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /100A Single N Power MOSFET 100N04DGeneral Description 40 VV DS40V /100A Single N Power MOSFET 3.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 100 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test

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Liste

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