SM6590D1RL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6590D1RL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1438 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de SM6590D1RL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SM6590D1RL datasheet

 ..1. Size:781K  cn sps
sm6590d1rl.pdf pdf_icon

SM6590D1RL

SM6590D1RL 40V /100A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /100A Single N Power MOSFET 100N04D General Description 40 V V DS 40V /100A Single N Power MOSFET 3.7 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.8 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 100 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Test

Otros transistores... SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, IRFZ24N, SM66406D1RL, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A, SM9926, SMIRF10N65T1TL, SMIRF10N65T2TL