SM6590D1RL Todos los transistores

 

SM6590D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6590D1RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1438 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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SM6590D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  cn sps
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SM6590D1RL

SM6590D1RL40V /100A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /100A Single N Power MOSFET 100N04DGeneral Description 40 VV DS40V /100A Single N Power MOSFET 3.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 100 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test

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History: AP9975GM | STB23N80K5 | AP75T10GP | WMK22N50C4 | 4N60G-TF1-T | MSK80N03NF | FQB1P50

 

 
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