Справочник MOSFET. SM6590D1RL

 

SM6590D1RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM6590D1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для SM6590D1RL

 

 

SM6590D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  cn sps
 sm6590d1rl.pdf

SM6590D1RL SM6590D1RL

SM6590D1RL40V /100A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /100A Single N Power MOSFET 100N04DGeneral Description 40 VV DS40V /100A Single N Power MOSFET 3.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 100 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top