SM6590D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6590D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6590D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6590D1RL даташит

 ..1. Size:781K  cn sps
 sm6590d1rl.pdf pdf_icon

SM6590D1RL

SM6590D1RL 40V /100A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /100A Single N Power MOSFET 100N04D General Description 40 V V DS 40V /100A Single N Power MOSFET 3.7 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.8 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 100 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Test

Другие IGBT... SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, IRFZ24N, SM66406D1RL, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A, SM9926, SMIRF10N65T1TL, SMIRF10N65T2TL