SM6590D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM6590D1RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SM6590D1RL Datasheet (PDF)
sm6590d1rl.pdf

SM6590D1RL40V /100A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /100A Single N Power MOSFET 100N04DGeneral Description 40 VV DS40V /100A Single N Power MOSFET 3.7 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 100 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Test
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S
History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844