SM66406D1RL Todos los transistores

 

SM66406D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM66406D1RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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SM66406D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn sps
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SM66406D1RL

SM66406D1RL40V /30A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /30A Single N Power MOSFET 30N04DGeneral Description 40 VV DS40V /30A Single N Power MOSFET 9.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 12.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 30 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

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History: NCE70N1K1I | BUK9M15-40H | DCCF016M120G2 | CJP10N65 | IRF520NL | AP4034GYT-HF | NVTFS002N04CL

 

 
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