SM66406D1RL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM66406D1RL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SM66406D1RL datasheet

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SM66406D1RL

SM66406D1RL 40V /30A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /30A Single N Power MOSFET 30N04D General Description 40 V V DS 40V /30A Single N Power MOSFET 9.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 12.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 30 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

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