SM66406D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM66406D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM66406D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM66406D1RL даташит

 ..1. Size:766K  cn sps
 sm66406d1rl.pdf pdf_icon

SM66406D1RL

SM66406D1RL 40V /30A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /30A Single N Power MOSFET 30N04D General Description 40 V V DS 40V /30A Single N Power MOSFET 9.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 12.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 30 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

Другие IGBT... SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL, 2N60, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A, SM9926, SMIRF10N65T1TL, SMIRF10N65T2TL, SMIRF12N65T1TL