Справочник MOSFET. SM66406D1RL

 

SM66406D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM66406D1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SM66406D1RL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM66406D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn sps
 sm66406d1rl.pdf pdf_icon

SM66406D1RL

SM66406D1RL40V /30A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /30A Single N Power MOSFET 30N04DGeneral Description 40 VV DS40V /30A Single N Power MOSFET 9.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 12.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 30 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

Другие MOSFET... SM6358D1RL , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , SM6426D1RL , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , IRF830 , SM6796D1RL , SM6802S1RL , SM9435 , SM95N03A , SM9926 , SMIRF10N65T1TL , SMIRF10N65T2TL , SMIRF12N65T1TL .

History: 5N65G-TN3-R | SSM5N16FE | AOI600A60 | FDMA86108LZ | IPB60R160C6 | CJP10N65

 

 
Back to Top

 


 
.