SM66406D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM66406D1RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SM66406D1RL Datasheet (PDF)
sm66406d1rl.pdf

SM66406D1RL40V /30A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /30A Single N Power MOSFET 30N04DGeneral Description 40 VV DS40V /30A Single N Power MOSFET 9.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 12.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 30 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HAT2210R | P0804BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327