SM6796D1RL Todos los transistores

 

SM6796D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6796D1RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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SM6796D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  cn sps
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SM6796D1RL

SM6796D1RL30V /70A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /70A Single N Power MOSFET 70N03DGeneral Description 30 VV DS30V /70A Single N Power MOSFET 3.5 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 70 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

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History: AP18T20GI-HF | AP4N4R2H | IPW60R045CP | BSC042N03MS | AO4459 | 2SK3577 | STD5NK60ZT4

 

 
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