SM6796D1RL Todos los transistores

 

SM6796D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6796D1RL
   Código: 6796
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.9 V
   Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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SM6796D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  cn sps
sm6796d1rl.pdf

SM6796D1RL
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SM6796D1RL30V /70A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /70A Single N Power MOSFET 70N03DGeneral Description 30 VV DS30V /70A Single N Power MOSFET 3.5 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 70 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

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