SM6796D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6796D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6796D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6796D1RL даташит

 ..1. Size:763K  cn sps
 sm6796d1rl.pdf pdf_icon

SM6796D1RL

SM6796D1RL 30V /70A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /70A Single N Power MOSFET 70N03D General Description 30 V V DS 30V /70A Single N Power MOSFET 3.5 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.5 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 70 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested S

Другие IGBT... SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL, SM66406D1RL, 8N60, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A, SM9926, SMIRF10N65T1TL, SMIRF10N65T2TL, SMIRF12N65T1TL, SMIRF12N65T2TL