STU650S Todos los transistores

 

STU650S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU650S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU650S datasheet

 ..1. Size:121K  samhop
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STU650S

Green Product STU/D650S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 75 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 16A 65V 97 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 25

 9.1. Size:791K  st
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STU650S

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

Otros transistores... STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , IRFP260 , FCH47N60NF , STU630S , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S , FCI25N60NF102 , STU618S .

 

 

 


 
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