Справочник MOSFET. STU650S

 

STU650S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU650S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для STU650S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU650S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  samhop
 stu650s std650s.pdf pdf_icon

STU650S

GreenProductSTU/D650SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.75 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.16A65V97 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25

 9.1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STU650S

STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

Другие MOSFET... STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , 8205A , FCH47N60NF , STU630S , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S , FCI25N60NF102 , STU618S .

 

 
Back to Top

 


 
.