STU650S - описание и поиск аналогов

 

STU650S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU650S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для STU650S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU650S даташит

 ..1. Size:121K  samhop
 stu650s std650s.pdf pdf_icon

STU650S

Green Product STU/D650S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 75 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 16A 65V 97 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 25

 9.1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STU650S

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

Другие MOSFET... STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , IRFP260 , FCH47N60NF , STU630S , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S , FCI25N60NF102 , STU618S .

History: ECH8673 | ECH8668

 

 

 


 
↑ Back to Top
.