STU650S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU650S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STU650S Datasheet (PDF)
stu650s std650s.pdf

GreenProductSTU/D650SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.75 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.16A65V97 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25
std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf

STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow
Другие MOSFET... STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , IRLB4132 , FCH47N60NF , STU630S , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S , FCI25N60NF102 , STU618S .
History: IPA80R280P7 | SRT15N050HTC | 2SK3572-Z | XG65T125PS1B | HUFA75321D3ST | KMB054N40IA | NCE30H29D
History: IPA80R280P7 | SRT15N050HTC | 2SK3572-Z | XG65T125PS1B | HUFA75321D3ST | KMB054N40IA | NCE30H29D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240