FCP22N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FCP22N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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FCP22N60N Datasheet (PDF)

..1. Size:757K fairchild semi
fcp22n60n fcpf22n60nt.pdf

July 2009SupreMOS TMFCP22N60N / FCPF22N60NT tmN-Channel MOSFET600V, 22A, 0.165Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of highvoltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oCprocess that differentiates it from preceding multi-epi based tech-nologies.

..2. Size:754K onsemi
fcp22n60n fcpf22n60nt.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

9.1. Size:675K onsemi
fcp220n80.pdf

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