Справочник MOSFET. FCP22N60N

 

FCP22N60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FCP22N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 205 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 45 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FCP22N60N

 

FCP22N60N Datasheet (PDF)

1.1. fcp22n60n fcpf22n60nt.pdf Size:757K _fairchild_semi

FCP22N60N
FCP22N60N

July 2009 SupreMOS TM FCP22N60N / FCPF22N60NT tm N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165? Features Description RDS(on) = 0.140? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oC process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- nologies. By utilizing

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 
Back to Top