Справочник MOSFET. FCP22N60N

 

FCP22N60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FCP22N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 205 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 45 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FCP22N60N

 

 

FCP22N60N Datasheet (PDF)

1.1. fcp22n60n fcpf22n60nt.pdf Size:757K _fairchild_semi

FCP22N60N
FCP22N60N

July 2009 SupreMOS TM FCP22N60N / FCPF22N60NT tm N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165? Features Description RDS(on) = 0.140? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oC process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- nologies. By utilizing

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top