AOD438 Todos los transistores

 

AOD438 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD438
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1525 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AOD438 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:838K  cn vbsemi
 aod438.pdf pdf_icon

AOD438

AOD438www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU

 9.1. Size:141K  aosemi
 aod436.pdf pdf_icon

AOD438

www.DataSheet4U.comAOD436N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD436 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = 60A (VGS = 10V)gate resistance. This device is ideally suited for use RDS(ON)

 9.2. Size:110K  aosemi
 aod434.pdf pdf_icon

AOD438

AOD434N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesVDS (V) = 20VThe AOD434 uses advanced trench technology to ID = 18A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON), low gate charge and RDS(ON)

Otros transistores... AM4929P-T1 , AM4930N-T1 , AM60N10-70PC , AO2301 , AO4602 , AO4606A , AO4614-30V , AO4816 , IRF830 , AOD522 , AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE .

History: IPB114N03LG | QM4302D | SM4066CSK

 

 
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