AOD438 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD438  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1525 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 typ Ohm

Encapsulados: TO252

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AOD438 datasheet

 ..1. Size:838K  cn vbsemi
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AOD438

AOD438 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLU

 9.1. Size:141K  aosemi
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AOD438

www.DataSheet4U.com AOD436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD436 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = 60A (VGS = 10V) gate resistance. This device is ideally suited for use RDS(ON)

 9.2. Size:110K  aosemi
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AOD438

AOD434 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features VDS (V) = 20V The AOD434 uses advanced trench technology to ID = 18A (VGS = 10V) provide excellent RDS(ON), low gate charge and RDS(ON)

Otros transistores... AM4929P-T1, AM4930N-T1, AM60N10-70PC, AO2301, AO4602, AO4606A, AO4614-30V, AO4816, AO3407, AOD522, AP10P10GH, AP2300GN, AP2301N, AP2305GN, AP2306AGN, AP2306N, AP2308GE