AOD438 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOD438
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 151 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 1525 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.002(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
AOD438 Datasheet (PDF)
aod438.pdf
AOD438www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU
aod436.pdf
www.DataSheet4U.comAOD436N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD436 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = 60A (VGS = 10V)gate resistance. This device is ideally suited for use RDS(ON)
aod434.pdf
AOD434N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesVDS (V) = 20VThe AOD434 uses advanced trench technology to ID = 18A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON), low gate charge and RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
