APM4532KC Todos los transistores

 

APM4532KC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM4532KC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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APM4532KC datasheet

 ..1. Size:1667K  cn vbsemi
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APM4532KC

APM4532KC www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VG

 6.1. Size:187K  anpec
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APM4532KC

APM4532K Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel D1 D1 D2 30V/5A, D2 RDS(ON) =35m (typ.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) =60m (typ.) @ VGS = 4.5V G1 S2 G2 P-Channel -30V/-3.5A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =85m (typ.) @ VGS =-10V (8) (7) (3) RDS(ON) =135m (typ.) @ VGS =-4.5V D1 D1 S2 Super High Dense C

 7.1. Size:234K  anpec
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APM4532KC

APM4532 Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel S1 1 8 D1 30V/5A, RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=10V G1 2 7 D1 RDS(ON)=60m (typ.) @ VGS=4.5V S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-Channel -30V/-3.5A, RDS(ON)=85m (typ.) @ VGS=-10V SO-8 RDS(ON)=135m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design for Extremely D1 D1 S2 Lo

 8.1. Size:180K  anpec
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APM4532KC

APM4536K Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel D1 D1 30V/5A, D2 D2 RDS(ON) =35m (typ.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) =45m (typ.) @ VGS = 4.5V G1 S2 P-Channel G2 -30V/-5A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =40m (typ.) @ VGS =-10V RDS(ON) =55m (typ.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (3) D1 D1 S2 Super High Dense Cell

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History: EN2305 | APM4050PUC

 

 

 

 

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