APM4532KC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM4532KC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
APM4532KC Datasheet (PDF)
apm4532kc.pdf
APM4532KCwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG
apm4532k.pdf
APM4532KDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelD1D1D230V/5A,D2RDS(ON) =35m(typ.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) =60m(typ.) @ VGS = 4.5VG1S2G2 P-Channel-30V/-3.5A,Top View of SOP - 8RDS(ON) =85m(typ.) @ VGS =-10V(8) (7) (3)RDS(ON) =135m(typ.) @ VGS =-4.5VD1 D1 S2 Super High Dense C
apm4532.pdf
APM4532Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelS1 1 8 D130V/5A, RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=10VG1 2 7 D1RDS(ON)=60m(typ.) @ VGS=4.5V S2 3 6 D2G2 4 5 D2 P-Channel-30V/-3.5A, RDS(ON)=85m(typ.) @ VGS=-10VSO-8 RDS(ON)=135m(typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design for ExtremelyD1 D1S2Lo
apm4536k.pdf
APM4536KDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelD1D130V/5A, D2D2RDS(ON) =35m(typ.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) =45m(typ.) @ VGS = 4.5VG1S2 P-ChannelG2-30V/-5A,Top View of SOP - 8RDS(ON) =40m(typ.) @ VGS =-10VRDS(ON) =55m(typ.) @ VGS =-4.5V(8) (7) (3)D1 D1 S2 Super High Dense Cell
apm4534k.pdf
APM4534KDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 30V/4.5A RDS(ON) = 65m(typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 90m(typ.) @ VGS = 4.5V P-Channel-30V/-3.3A, RDS(ON) = 110m(typ.) @ VGS = -10V RDS(ON) = 175m(typ.) @ VGS = -4.5V Top View of SOP - 8 Super High Dense Cell Design(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2 Reliable and Rugged Lea
apm4538k.pdf
APM4538KDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelD1D1D236V/5A,D2RDS(ON) =50m(typ.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) =60m(typ.) @ VGS = 4.5VG1S2G2 P-Channel-36V/-4A,Top View of SOP - 8RDS(ON) =60m(typ.) @ VGS =-10V(3)RDS(ON) =80m(typ.) @ VGS =-4.5V (8) (7)S2D1 D1 Super High Dense Cel
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: NVD5C648NL
