FCP4N60 Todos los transistores

 

FCP4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCP4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FCP4N60 Datasheet (PDF)

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FCP4N60

December 2008 TMSuperFETFCP4N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 1.0balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) lower gate charge performance.

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History: STU606S

 

 
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