FCP4N60 Todos los transistores

 

FCP4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCP4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de FCP4N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FCP4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  fairchild semi
 fcp4n60.pdf pdf_icon

FCP4N60

December 2008 TMSuperFETFCP4N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 1.0balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) lower gate charge performance.

Otros transistores... FCP16N60N , STU608S , FCP22N60N , STU606S , FCP25N60NF102 , STU602S , FCP36N60N , STU6025NL2 , STP80NF70 , STU434S , FCP7N60 , STU432S , FCP9N60N , STU432L , FCPF11N60NT , STU428S , FCPF13N60NT .

History: HY3008B | IRFU9120 | HUF75343P3 | FK16KM-6

 

 
Back to Top

 


 
.