Справочник MOSFET. FCP4N60

 

FCP4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCP4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FCP4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  fairchild semi
fcp4n60.pdfpdf_icon

FCP4N60

December 2008 TMSuperFETFCP4N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 1.0balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) lower gate charge performance.

Другие MOSFET... FCP16N60N , STU608S , FCP22N60N , STU606S , FCP25N60NF102 , STU602S , FCP36N60N , STU6025NL2 , STP80NF70 , STU434S , FCP7N60 , STU432S , FCP9N60N , STU432L , FCPF11N60NT , STU428S , FCPF13N60NT .

History: BFC18 | 2N6784JANTX

 

 
Back to Top

 


 
.