FCP4N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCP4N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FCP4N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCP4N60 даташит
Другие MOSFET... FCP16N60N , STU608S , FCP22N60N , STU606S , FCP25N60NF102 , STU602S , FCP36N60N , STU6025NL2 , 10N65 , STU434S , FCP7N60 , STU432S , FCP9N60N , STU432L , FCPF11N60NT , STU428S , FCPF13N60NT .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet