CMD50N06B Todos los transistores

 

CMD50N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMD50N06B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CMD50N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  cn vbsemi
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CMD50N06B

CMD50N06Bwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit

 9.1. Size:772K  cn vbsemi
 cmd50p03.pdf pdf_icon

CMD50N06B

CMD50P03www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.011 at VGS = - 10 V 50RoHS*- 30COMPLIANT0.013 at VGS = - 4.5 V 45STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat

Otros transistores... CEM4946 , CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , TK10A60D , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 .

History: HGN650N15SL | STP11NB40 | 2N3822 | APT40M35JVFR | MSU12N60T | IPA60R600CP | IPD30N03S2L-10

 

 
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