Справочник MOSFET. CMD50N06B

 

CMD50N06B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMD50N06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CMD50N06B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMD50N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  cn vbsemi
cmd50n06b.pdfpdf_icon

CMD50N06B

CMD50N06Bwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit

 9.1. Size:772K  cn vbsemi
cmd50p03.pdfpdf_icon

CMD50N06B

CMD50P03www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.011 at VGS = - 10 V 50RoHS*- 30COMPLIANT0.013 at VGS = - 4.5 V 45STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat

Другие MOSFET... CEM4946 , CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , TK10A60D , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 .

History: STN1810 | BF1208D | IRFI840GLCPBF | 2SK2793 | OSG60R022HT3ZF | TPM8205ATS6 | CJAC10TH10

 

 
Back to Top

 


 
.