CMD50P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMD50P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 127 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1565 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: TO252
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CMD50P03 datasheet
cmd50p03.pdf
CMD50P03 www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.011 at VGS = - 10 V 50 RoHS* - 30 COMPLIANT 0.013 at VGS = - 4.5 V 45 S TO-252 G D G S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Gat
cmd50n06b.pdf
CMD50N06B www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit
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