CMD50P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CMD50P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1565 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CMD50P03
CMD50P03 Datasheet (PDF)
cmd50p03.pdf

CMD50P03www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.011 at VGS = - 10 V 50RoHS*- 30COMPLIANT0.013 at VGS = - 4.5 V 45STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat
cmd50n06b.pdf

CMD50N06Bwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit
Другие MOSFET... CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , 5N60 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F .
History: 2SK3504-01 | HCD90R1K6 | AP3403GJ | 2SK3700 | IRLML6344GT | RCJ100N25
History: 2SK3504-01 | HCD90R1K6 | AP3403GJ | 2SK3700 | IRLML6344GT | RCJ100N25



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor