CMD5950 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMD5950
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 96 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 301 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.033(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CMD5950
CMD5950 Datasheet (PDF)
cmd5950.pdf
CMD5950www.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2
cmd5941 cmu5941.pdf
CMD5941/CMU5941P-Channel Silicon MOSFETGeneral Description Product SummaryThe 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25Aexcellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications.Inverters Motor driveDC / DC converterFeatures P-ChannelTO-252/251 Pin ConfigurationDLow ON-
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
