CMD5950 Todos los transistores

 

CMD5950 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMD5950
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 301 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CMD5950 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  cn vbsemi
 cmd5950.pdf pdf_icon

CMD5950

CMD5950www.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2

 9.1. Size:1082K  1
 cmd5941 cmu5941.pdf pdf_icon

CMD5950

CMD5941/CMU5941P-Channel Silicon MOSFETGeneral Description Product SummaryThe 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25Aexcellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications.Inverters Motor driveDC / DC converterFeatures P-ChannelTO-252/251 Pin ConfigurationDLow ON-

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History: OSG65R028H4T3ZF | MTE040N20P3 | MTDP2004S6R | OSG65R028HT3ZF | MTE05N10E3 | MTE05N08E3

 

 
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