Справочник MOSFET. CMD5950

 

CMD5950 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMD5950
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 301 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CMD5950

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMD5950 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  cn vbsemi
 cmd5950.pdf pdf_icon

CMD5950

CMD5950www.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2

 9.1. Size:1082K  1
 cmd5941 cmu5941.pdf pdf_icon

CMD5950

CMD5941/CMU5941P-Channel Silicon MOSFETGeneral Description Product SummaryThe 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25Aexcellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications.Inverters Motor driveDC / DC converterFeatures P-ChannelTO-252/251 Pin ConfigurationDLow ON-

Другие MOSFET... CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , 4N60 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F , DMC2700UDM-7 .

History: BUK9M15-40H | AFP8833 | H8N0801AB | STP40NF03L | LSB60R030HT | OSG65R028H4T3ZF | IRF520NL

 

 
Back to Top

 


 
.