CMD5950 - описание и поиск аналогов

 

CMD5950. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMD5950

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 301 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CMD5950

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMD5950 даташит

 ..1. Size:896K  cn vbsemi
 cmd5950.pdf pdf_icon

CMD5950

CMD5950 www.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 100 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 40 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2

 9.1. Size:1082K  1
 cmd5941 cmu5941.pdf pdf_icon

CMD5950

CMD5941/CMU5941 P-Channel Silicon MOSFET General Description Product Summary The 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25A excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications. Inverters Motor drive DC / DC converter Features P-Channel TO-252/251 Pin Configuration D Low ON-

Другие MOSFET... CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , 12N60 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F , DMC2700UDM-7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.