CMU12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMU12N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.110(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de CMU12N10 MOSFET
CMU12N10 Datasheet (PDF)
cmu12n10.pdf

CMU12N10www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise
Otros transistores... CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , IRF530 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F , DMC2700UDM-7 , DMC3018LSD-13 , DMG1013UW-7 .
History: HAT2126RP | BRCS035N06SDP | IXTR32P60P | AM20P03-60I | 8N06G | CEP07N65A | NDB410B
History: HAT2126RP | BRCS035N06SDP | IXTR32P60P | AM20P03-60I | 8N06G | CEP07N65A | NDB410B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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