Справочник MOSFET. CMU12N10

 

CMU12N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMU12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.110(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CMU12N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMU12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  cn vbsemi
 cmu12n10.pdf pdf_icon

CMU12N10

CMU12N10www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , IRF530 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F , DMC2700UDM-7 , DMC3018LSD-13 , DMG1013UW-7 .

History: AP03N70H-A-HF | IXFH110N15T2 | SPD07N60C3 | HY050N08P | FQI4N90TU | HUFA75309P3 | CSD17573Q5B

 

 
Back to Top

 


 
.