Справочник MOSFET. CMU12N10

 

CMU12N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CMU12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 61 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 35 ns
   Выходная емкость (Cd): 110 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.110(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для CMU12N10

 

 

CMU12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  cn vbsemi
 cmu12n10.pdf

CMU12N10 CMU12N10

CMU12N10www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top