EMB60N06A Todos los transistores

 

EMB60N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMB60N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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EMB60N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  cn vbsemi
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EMB60N06A

EMB60N06Awww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

 9.1. Size:692K  rohm
 emb60.pdf pdf_icon

EMB60N06A

EMB60DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC-50VIC(MAX.)-100mA R12.2kEMB60R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTA023J chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminati

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History: F5055 | IRFS723 | IRF630NL | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02

 

 
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