EMB60N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB60N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 19.8 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.073(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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EMB60N06A Datasheet (PDF)
emb60n06a.pdf
EMB60N06Awww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters
emb60.pdf
EMB60DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC-50VIC(MAX.)-100mA R12.2kEMB60R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTA023J chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminati
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