EMB60N06A - описание и поиск аналогов

 

EMB60N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMB60N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для EMB60N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB60N06A даташит

 ..1. Size:851K  cn vbsemi
 emb60n06a.pdf pdf_icon

EMB60N06A

EMB60N06A www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.085 at VGS = 4.5 V 13.2 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters

 9.1. Size:692K  rohm
 emb60.pdf pdf_icon

EMB60N06A

EMB60 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 2.2k EMB60 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA023J chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminati

Другие MOSFET... DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , DTU09N03 , E10P02 , 20N50 , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL .

History: VB2140

 

 

 

 

↑ Back to Top
.