Справочник MOSFET. EMB60N06A

 

EMB60N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMB60N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для EMB60N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB60N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  cn vbsemi
 emb60n06a.pdf pdf_icon

EMB60N06A

EMB60N06Awww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

 9.1. Size:692K  rohm
 emb60.pdf pdf_icon

EMB60N06A

EMB60DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC-50VIC(MAX.)-100mA R12.2kEMB60R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTA023J chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminati

Другие MOSFET... DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , DTU09N03 , E10P02 , 2N60 , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL .

History: 2SK3433-S | RRQ030P03 | QM2403J | IRFSL4710 | HGN023NE6AL | DMP2240UDM | APT8024LFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.