FCP9N60N Todos los transistores

 

FCP9N60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCP9N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm

Encapsulados: TO220

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FCP9N60N datasheet

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FCP9N60N

August 2009 SupreMOSTM FCP9N60N / FCPF9N60NT tm N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385 Features Description RDS(on) = 0.33 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 22nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based

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FCP9N60N

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FCP25N60NF102 , STU602S , FCP36N60N , STU6025NL2 , FCP4N60 , STU434S , FCP7N60 , STU432S , AO3407 , STU432L , FCPF11N60NT , STU428S , FCPF13N60NT , STU426S , FCPF16N60NT , STU421S , FCPF22N60NT .

History: STU420S | JST180N30D5 | JST2300 | FCPF7N60

 

 

 


 
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