FCP9N60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCP9N60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
Тип корпуса: TO220
FCP9N60N Datasheet (PDF)
fcp9n60n fcpf9n60nt.pdf
August 2009SupreMOSTMFCP9N60N / FCPF9N60NTtmN-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385Features Description RDS(on) = 0.33 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 22nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based
fcp9n60n fcpf9n60nt.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... FCP25N60NF102 , STU602S , FCP36N60N , STU6025NL2 , FCP4N60 , STU434S , FCP7N60 , STU432S , AO3400 , STU432L , FCPF11N60NT , STU428S , FCPF13N60NT , STU426S , FCPF16N60NT , STU421S , FCPF22N60NT .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918