EMFA0P02J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMFA0P02J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm
Encapsulados: SOT23
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EMFA0P02J datasheet
emfa0p02j.pdf
EMFA0P02J www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO
Otros transistores... DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , DTU09N03 , E10P02 , EMB60N06A , IRF520 , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL .
History: APM4953KC | DMN6068SE-13 | SNN0310Q
History: APM4953KC | DMN6068SE-13 | SNN0310Q
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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