Справочник MOSFET. EMFA0P02J

 

EMFA0P02J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMFA0P02J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для EMFA0P02J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMFA0P02J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  cn vbsemi
 emfa0p02j.pdf pdf_icon

EMFA0P02J

EMFA0P02Jwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

Другие MOSFET... DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , DTU09N03 , E10P02 , EMB60N06A , CS150N03A8 , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL .

History: 25N10G-TM3-T | NTHS5445T1 | APT4080BN

 

 
Back to Top

 


 
.