EMFA0P02J - описание и поиск аналогов

 

EMFA0P02J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMFA0P02J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для EMFA0P02J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMFA0P02J даташит

 ..1. Size:870K  cn vbsemi
 emfa0p02j.pdf pdf_icon

EMFA0P02J

EMFA0P02J www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

Другие MOSFET... DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , DTU09N03 , E10P02 , EMB60N06A , IRF520 , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL .

History: AOC3860C | D2N60 | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.