FDS4465-NL-9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDS4465-NL-9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDS4465-NL-9

FDS4465-NL-9 Datasheet (PDF)

..1. Size:811K cn vbsemi
fds4465-nl-9.pdf

FDS4465-NL&-9www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7

7.1. Size:137K fairchild semi
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March 2003 FDS4465 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 13.5 A, 20 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(ON) = 14 m

7.2. Size:400K fairchild semi
fds4465 f085.pdf

February 2010tmFDS4465_F085 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 13.5 A, 20 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(

7.3. Size:264K onsemi
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FDS4465P-Channel 1.8V SpecifiedPOWERTRENCH MOSFETDescriptionThis P-Channel 1.8 V specified MOSFET is a rugged gate versionwww.onsemi.comof ON Semiconductors advanced POWERTRENCH process. It hasbeen optimized for power management applications with a wide rangeof gate drive voltage (1.8 V 8 V).VDSS RDS(on) MAX ID MAXFeatures-20 V 8.5 mW @ -4.5 V -13.5 A 13.5

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: