FDS4465-NL-9 - описание и поиск аналогов

 

FDS4465-NL-9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS4465-NL-9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для FDS4465-NL-9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4465-NL-9 даташит

 ..1. Size:811K  cn vbsemi
fds4465-nl-9.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

FDS4465-NL&-9 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7

 7.1. Size:137K  fairchild semi
fds4465.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

March 2003 FDS4465 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 13.5 A, 20 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductor s advanced RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(ON) = 14 m

 7.2. Size:400K  fairchild semi
fds4465 f085.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

February 2010 tm FDS4465_F085 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 13.5 A, 20 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductor s advanced RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(

 7.3. Size:264K  onsemi
fds4465.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

FDS4465 P-Channel 1.8V Specified POWERTRENCH MOSFET Description This P-Channel 1.8 V specified MOSFET is a rugged gate version www.onsemi.com of ON Semiconductor s advanced POWERTRENCH process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8 V 8 V). VDSS RDS(on) MAX ID MAX Features -20 V 8.5 mW @ -4.5 V -13.5 A 13.5

Другие MOSFET... FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL , FDN338P-NL , FDS4435-NL , FDS4450 , 7N60 , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B , FDS8333C , FDS8435A , FDS8984-NL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.