Справочник MOSFET. FDS4465-NL-9

 

FDS4465-NL-9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS4465-NL-9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для FDS4465-NL-9

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4465-NL-9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:811K  cn vbsemi
fds4465-nl-9.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

FDS4465-NL&-9www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7

 7.1. Size:137K  fairchild semi
fds4465.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

March 2003 FDS4465 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 13.5 A, 20 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(ON) = 14 m

 7.2. Size:400K  fairchild semi
fds4465 f085.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

February 2010tmFDS4465_F085 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged 13.5 A, 20 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power RDS(

 7.3. Size:264K  onsemi
fds4465.pdfpdf_icon

FDS4465-NL-9

FDS4465P-Channel 1.8V SpecifiedPOWERTRENCH MOSFETDescriptionThis P-Channel 1.8 V specified MOSFET is a rugged gate versionwww.onsemi.comof ON Semiconductors advanced POWERTRENCH process. It hasbeen optimized for power management applications with a wide rangeof gate drive voltage (1.8 V 8 V).VDSS RDS(on) MAX ID MAXFeatures-20 V 8.5 mW @ -4.5 V -13.5 A 13.5

Другие MOSFET... FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL , FDN338P-NL , FDS4435-NL , FDS4450 , MMIS60R580P , FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B , FDS8333C , FDS8435A , FDS8984-NL .

History: FJ4B0124 | IXTJ4N150 | IPP60R380C6 | AP2C018LM | IXTR68P20T | AM60N10-70P | 7N10Z

 

 
Back to Top

 


 
.